DMN65D9L-13
Číslo produktu výrobce:

DMN65D9L-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN65D9L-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 335mA (Ta) 270mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventář:

12888658
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN65D9L-13 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
335mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
41 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
270mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
DMN65

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
10,000
Další jména
DMN65D9L-13DI

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
DMN65D9L-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
39132
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN65D9L-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMN2990UFA-7B

MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN

diodes

DMT47M2SFVWQ-13

MOSFET N-CH 40V PWRDI3333

diodes

DMN5L06WKQ-7

MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

diodes

DMP3036SSS-13

MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO