Číslo produktu výrobce:
DMN66D0LDW-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN66D0LDW-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 115mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Inventář:
2890 Ks Nový Originál Skladem
12884706
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN66D0LDW-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6Ohm @ 115mA, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
23pF @ 25V
Výkon - Max
250mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SOT-363
Základní číslo výrobku
DMN66
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN66D0LDWDITR
31-DMN66D0LDW-7CT
DMN66D0LDWDICT
DMN66D0LDWDIDKR
DMN66D0LDW7
DMN66D0LDW-7-DG
31-DMN66D0LDW-7DKR
31-DMN66D0LDW-7TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
2N7002DW
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2378
DiGi ČÍSLO DÍLU
2N7002DW-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.07
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMC4050SSD-13
MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
DMN2024UDH-7
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
DMC1015UPD-13
MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
