Číslo produktu výrobce:
DMN90H8D5HCTI
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN90H8D5HCTI-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventář:
12883041
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN90H8D5HCTI Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
30W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
ITO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základní číslo výrobku
DMN90
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMG7401SFGQ-13
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
DMP3056LVT-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26
DMN80H2D0SCTI
MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
