DMN95H2D2HCTI
Číslo produktu výrobce:

DMN95H2D2HCTI

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN95H2D2HCTI-DG

Popis:

MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 950 V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventář:

12884507
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN95H2D2HCTI Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
950 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1487 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
ITO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základní číslo výrobku
DMN95

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
50

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMN10H099SK3-13

MOSFET N-CH 100V 17A TO252

diodes

DMG3415U-13

MOSFET P-CH DFN-3

diodes

DMG2301LK-7

MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23

diodes

DMN1054UCB4-7

MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4