Číslo produktu výrobce:
DMN95H8D5HCT
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN95H8D5HCT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventář:
12949375
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN95H8D5HCT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
950 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB (Type TH)
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
DMN95
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
DMN95H8D5HCT-DG
DMN95H8D5HCTDI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTP2N100
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP2N100-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.24
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXTP2R4N120P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
14
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP2R4N120P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.25
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXTP2N100P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
136
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP2N100P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.49
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN6040SFDE-7
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
DMNH4006SK3Q-13
MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252
DMN2041L-7
MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3
