Číslo produktu výrobce:
DMNH6008SCTQ
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMNH6008SCTQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
311 Ks Nový Originál Skladem
12887804
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMNH6008SCTQ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
130A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
VGS (Max)
20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2596 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
210W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
DMNH6008
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
DMNH6008SCTQDI
DMNH6008SCTQ-DG
-DMNH6008SCTQDI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN2028UVT-13
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
DMP4011SPSQ-13
MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
DMG301NU-13
MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
