Číslo produktu výrobce:

DMNH6035SPDW-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMNH6035SPDW-13-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50

Podrobný popis:

Mosfet Array 60V 33A (Tc) 2.4W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)

Inventář:

Poptejte online

12888802

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

DMNH6035SPDW-13 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Konfigurace

2 N-Channel (Dual)

Funkce FET

-

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

60V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

33A (Tc)

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

35mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

879pF @ 25V

Výkon - Max

2.4W (Ta), 68W (Tc)

Provozní teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount, Wettable Flank

Balení / pouzdro

8-PowerTDFN

Balíček zařízení dodavatele

PowerDI5060-8 (Type R)

Základní číslo výrobku

DMNH6035

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

DMNH6035SPDW-13

HTML Datový list

DMNH6035SPDW-13-DG

Další informace

Standardní balíček

2,500

Další jména

DMNH6035SPDW-13DI-DG

31-DMNH6035SPDW-13TR

DMNH6035SPDW-13DI

31-DMNH6035SPDW-13CT

31-DMNH6035SPDW-13DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

diodes

DMG6898LSD-13

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

diodes

DMC62D0SVQ-13

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R

diodes

DMP2060UFDB-7

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN

diodes

DMN2005DLP4K-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN