Číslo produktu výrobce:
DMP2005UFG-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMP2005UFG-7-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 89A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Inventář:
12883946
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMP2005UFG-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
89A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4670 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMP2005
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMP2005UFG-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
756
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMP2005UFG-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.26
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
TPN4R712MD,L1Q
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7052
DiGi ČÍSLO DÍLU
TPN4R712MD,L1Q-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.25
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
BSS84-7
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
DMN3016LFDE-13
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
DMN10H220LVT-13
MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
