Číslo produktu výrobce:
DMP2010UFG-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMP2010UFG-7-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventář:
4571 Ks Nový Originál Skladem
12888679
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMP2010UFG-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12.7A (Ta), 42A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3350 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
900mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMP2010
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
DMP2010UFG-7DICT
DMP2010UFG-7DITR
DMP2010UFG-7DIDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN6066SSS-13
MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
DMN2450UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
DMP2035UVTQ-7
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
