DMP2010UFG-7
Číslo produktu výrobce:

DMP2010UFG-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMP2010UFG-7-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventář:

4571 Ks Nový Originál Skladem
12888679
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMP2010UFG-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12.7A (Ta), 42A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3350 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
900mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMP2010

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,000
Další jména
DMP2010UFG-7DICT
DMP2010UFG-7DITR
DMP2010UFG-7DIDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMN6066SSS-13

MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO

diodes

DMN2450UFB4-7B

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

diodes

DMP2035UVTQ-7

MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26

diodes

DMPH3010LPS-13

MOSFET P-CH 30V 60A PWRDI5060-8