Číslo produktu výrobce:
DMP2022LSS-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMP2022LSS-13-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventář:
37400 Ks Nový Originál Skladem
12888781
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMP2022LSS-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2444 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SO
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
DMP2022
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
DMP2022LSS-13DIDKR
DMP2022LSS-13DITR
DMP2022LSS-13-DG
DMP2022LSS13
DMP2022LSS-13DICT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMNH6021SPS-13
MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
DMN10H170SFGQ-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMNH6008SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
