DMP2100UFU-13

Číslo produktu výrobce:

DMP2100UFU-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMP2100UFU-13-DG

Popis:

MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN

Podrobný popis:

Mosfet Array 20V 5.7A 900mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)

Inventář:

Poptejte online

12893899

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

DMP2100UFU-13 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Konfigurace

2 P-Channel (Dual)

Funkce FET

-

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

20V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

5.7A

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

1.4V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

21.4nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

906pF @ 10V

Výkon - Max

900mW

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balení / pouzdro

6-UDFN Exposed Pad

Balíček zařízení dodavatele

U-DFN2030-6 (Type B)

Základní číslo výrobku

DMP2100

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

DMP2100UFU-13-DG

Další informace

Standardní balíček

10,000

Další jména

DMP2100UFU-13DI

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

diodes

DMN32D4SDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

diodes

DMN601DMK-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

taiwan-semiconductor

TSM9933DCS RLG

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOP

diodes

DMT3006LDV-7

MOSFET 2N-CH 30V 25A POWERDI3333