DMP2900UW-7
Číslo produktu výrobce:

DMP2900UW-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMP2900UW-7-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 600mA (Ta) 300mW Surface Mount SOT-323

Inventář:

12949799
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMP2900UW-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
600mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
750mOhm @ 430mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±6V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
49 pF @ 16 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-323
Balení / pouzdro
SC-70, SOT-323
Základní číslo výrobku
DMP2900

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
DMP2900UW-7DI

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
DMP2900UW-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMP2900UW-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMT6017LSS-13

MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO

diodes

DMN3021LFDF-13

MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN

toshiba-semiconductor-and-storage

TK12E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

TK62J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P