Číslo produktu výrobce:
DMT10H015LFG-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMT10H015LFG-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventář:
3000 Ks Nový Originál Skladem
12884799
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMT10H015LFG-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Ta), 42A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
13.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1871 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta), 35W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMT10
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
31-DMT10H015LFG-13CT
DMT10H015LFG-13DI
DMT10H015LFG-13DI-DG
31-DMT10H015LFG-13DKR
31-DMT10H015LFG-13TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMT6010LPS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
DMN10H170SFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMPH6050SFG-7
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
