Číslo produktu výrobce:
DMT10H072LFDF-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMT10H072LFDF-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventář:
3000 Ks Nový Originál Skladem
12889056
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMT10H072LFDF-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
266 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
800mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
U-DFN2020-6 (Type F)
Balení / pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
DMT10
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
31-DMT10H072LFDF-7CT
31-DMT10H072LFDF-7DKR
31-DMT10H072LFDF-7TR
DMT10H072LFDF-7-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN2320UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
BSS123ATC
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
DMPH4029LFGQ-7
MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
