Číslo produktu výrobce:
DMT10H9M9LCT
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMT10H9M9LCT-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 101A (Tc) 2.3W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
13000818
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMT10H9M9LCT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
101A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2309 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.3W (Ta), 156W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
DMT10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
31-DMT10H9M9LCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP3045LFVW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMT3020LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMG1012UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
