Číslo produktu výrobce:
DMT12H060LFDF-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMT12H060LFDF-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Podrobný popis:
N-Channel 115 V 4.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventář:
12979165
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMT12H060LFDF-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
115 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
475 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
U-DFN2020-6 (Type F)
Balení / pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
DMT12
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
10,000
Další jména
31-DMT12H060LFDF-13TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMT12H060LFDF-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
783
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMT12H060LFDF-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.18
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP2100UQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMT64M1LCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT64M8LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333