DMT32M5LPS-13
Číslo produktu výrobce:

DMT32M5LPS-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMT32M5LPS-13-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Inventář:

7475 Ks Nový Originál Skladem
12892242
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMT32M5LPS-13 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
150A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3944 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
100W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI5060-8
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
DMT32

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
31-DMT32M5LPS-13TR
DMT32M5LPS-13-DG
31-DMT32M5LPS-13CT
31-DMT32M5LPS-13DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMN61D9UW-7

MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323

taiwan-semiconductor

TSM301K12CQ RFG

MOSFET P-CH 20V 4.5A 6TDFN

taiwan-semiconductor

TSM033NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM22P10CZ C0G

MOSFET P-CH 100V 22A TO220