Číslo produktu výrobce:

DMT35M4LFDF4-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMT35M4LFDF4-7-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 12A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6 (Type W)

Inventář:

Poptejte online

12978706

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

DMT35M4LFDF4-7 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

30 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

12A (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

9mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.5V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

14.9 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1009 pF @ 15 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

910mW (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

X2-DFN2020-6 (Type W)

Balení / pouzdro

6-PowerXDFN

Základní číslo výrobku

DMT35M4LF

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

31-DMT35M4LFDF4-7TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

IRL530PBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB

STP270N8F7W

MOSFET N CH 80V 180A TO-220AB

diodes

DMT3020LFDFQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

diodes

DMP3028LFDEQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-