DMT43M8LFV-13

Číslo produktu výrobce:

DMT43M8LFV-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMT43M8LFV-13-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 87A POWERDI3333

Podrobný popis:

N-Channel 40 V 87A (Tc) 2.25W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Inventář:

Poptejte online

12894650

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

DMT43M8LFV-13 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

40 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

87A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

4mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.5V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

44.4 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

3213 pF @ 20 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.25W (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

PowerDI3333-8 (Type UX)

Balení / pouzdro

8-PowerVDFN

Základní číslo výrobku

DMT43

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

DMT43M8LFV-13-DG

Další informace

Standardní balíček

3,000

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

taiwan-semiconductor

TSM60NB900CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252

diodes

DMP4025SFGQ-13

MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8

diodes

DMT10H072LFDF-13

MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN

taiwan-semiconductor

TSM160N10CZ C0G

MOSFET N-CH 100V 160A TO220