DMT43M8LFV-13
Číslo produktu výrobce:

DMT43M8LFV-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMT43M8LFV-13-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 87A POWERDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 87A (Tc) 2.25W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Inventář:

12894650
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMT43M8LFV-13 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
87A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
44.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3213 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.25W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8 (Type UX)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMT43

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
taiwan-semiconductor

TSM60NB900CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252

diodes

DMP4025SFGQ-13

MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8

diodes

DMT10H072LFDF-13

MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN

taiwan-semiconductor

TSM160N10CZ C0G

MOSFET N-CH 100V 160A TO220