Číslo produktu výrobce:
DMT6002LPS-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMT6002LPS-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
Inventář:
2486 Ks Nový Originál Skladem
12889174
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMT6002LPS-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
130.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6555 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.3W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI5060-8 (Type K)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
DMT6002
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
31-DMT6002LPS-13DKR
DMT6002LPS-13-DG
31-DMT6002LPS-13TR
31-DMT6002LPS-13CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
SSM3K324R,LF
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
