DMT6004SPS-13
Číslo produktu výrobce:

DMT6004SPS-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMT6004SPS-13-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 23A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8

Inventář:

2446 Ks Nový Originál Skladem
12894200
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMT6004SPS-13 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
23A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
95.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4556 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI5060-8
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
DMT6004

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
31-DMT6004SPS-13TR
31-DMT6004SPS-13CT
DMT6004SPS-13-DG
31-DMT6004SPS-13DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
taiwan-semiconductor

TSM180N03CS RLG

MOSFET N-CHANNEL 30V 9A 8SOP

taiwan-semiconductor

TSM210N06CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220

taiwan-semiconductor

TSM060N03PQ33 RGG

MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM4N70CP ROG

MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252