DMT6005LFG-7
Číslo produktu výrobce:

DMT6005LFG-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMT6005LFG-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 100A (Tc) 1.98W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventář:

12894592
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMT6005LFG-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Ta), 100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
48.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3150 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.98W (Ta), 62.5W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMT6005

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,000

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
DMT6005LFG-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMT6005LFG-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.31
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMN2065UWQ-7

MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323

diodes

DMN3031LSS-13

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

diodes

DMTH10H010SPSQ-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

diodes

DMTH6004SCTBQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB