DMT6009LCT

Číslo produktu výrobce:

DMT6009LCT

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMT6009LCT-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB

Podrobný popis:

N-Channel 60 V 37.2A (Tc) 2.2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventář:

838 Ks Nový Originál Skladem

12884169

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

DMT6009LCT Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tube

Řada

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

60 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

37.2A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

12mOhm @ 13.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

VGS (Max)

±16V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1925 pF @ 30 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.2W (Ta), 25W (Tc)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balíček zařízení dodavatele

TO-220-3

Balení / pouzdro

TO-220-3

Základní číslo výrobku

DMT6009

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

50

Další jména

DMT6009LCTDI-5

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

diodes

DMPH6050SFGQ-13

MOSFET P-CH 60V PWRDI3333

diodes

BSS123W-7

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323

diodes

DMN2028UFDF-13

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN

diodes

DMP6185SEQ-13

MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223