DMT6009LPS-13
Číslo produktu výrobce:

DMT6009LPS-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMT6009LPS-13-DG

Popis:

MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta), 87A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8

Inventář:

3292 Ks Nový Originál Skladem
12897226
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
iaE7
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMT6009LPS-13 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10.6A (Ta), 87A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.3W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI5060-8
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
DMT6009

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
DMT6009LPS-13DIDKR
DMT6009LPS-13DITR
DMT6009LPS-13DICT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
taiwan-semiconductor

TSM130NB06LCR

MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN

diodes

DMT8012LSS-13

MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO

taiwan-semiconductor

TSM10NC65CF C0G

MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

taiwan-semiconductor

TSM900N10CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252