DMT6012LFDF-7
Číslo produktu výrobce:

DMT6012LFDF-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMT6012LFDF-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventář:

3000 Ks Nový Originál Skladem
12949427
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMT6012LFDF-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
14mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
900mW (Ta), 11W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
U-DFN2020-6 (Type F)
Balení / pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
DMT6012

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
DMT6012LFDF-7-DG
31-DMT6012LFDF-7TR
31-DMT6012LFDF-7DKR
31-DMT6012LFDF-7CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMN55D0UT-7

MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

diodes

DMP21D0UFB4-7B

MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN

diodes

ZXMP6A17N8TC

MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO

diodes

DMG3404L-7

MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23