Číslo produktu výrobce:
DMT6012LFDF-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMT6012LFDF-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventář:
3000 Ks Nový Originál Skladem
12949427
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMT6012LFDF-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
14mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
900mW (Ta), 11W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
U-DFN2020-6 (Type F)
Balení / pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
DMT6012
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMT6012LFDF-7-DG
31-DMT6012LFDF-7TR
31-DMT6012LFDF-7DKR
31-DMT6012LFDF-7CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN55D0UT-7
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
DMP21D0UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
ZXMP6A17N8TC
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
