Číslo produktu výrobce:
DMT6016LPSW-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMT6016LPSW-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 11.2A (Ta), 43A (Tc) 2.84W (Ta), 41.67W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventář:
12949701
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMT6016LPSW-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11.2A (Ta), 43A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
16.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
864 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.84W (Ta), 41.67W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI5060-8 (Type UX)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
DMT6016
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
DMT6016LPSW-13DI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP510DL-7
MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
DMTH6005LK3-13
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
TSM22P10CI C0G
MOSFET P-CH 100V 22A ITO220
