Číslo produktu výrobce:
DMT6017LFV-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMT6017LFV-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 65 V 36A (Tc) 2.12W (Ta), 39.06W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Inventář:
12888157
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMT6017LFV-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
65 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
36A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
891 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.12W (Ta), 39.06W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8 (Type UX)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMT6017
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
31-DMT6017LFV-7CT
DMT6017LFV-7-DG
31-DMT6017LFV-7TR
31-DMT6017LFV-7DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMT6015LPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
DMP4025LK3-13
MOSFET P-CH 40V 6.7A TO252
DMP32D4S-7
MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
