Číslo produktu výrobce:
DMT6030LFDF-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMT6030LFDF-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 6.8A (Ta) 860mW (Ta), 9.62W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventář:
12894825
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMT6030LFDF-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25.5mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
639 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
860mW (Ta), 9.62W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
U-DFN2020-6 (Type F)
Balení / pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
DMT6030
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMT6030LFDF-7DI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP31D7LW-7
MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323
TSM60N900CP ROG
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
DMTH6005LPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
