Číslo produktu výrobce:
DMT8008LFG-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMT8008LFG-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 48A (Tc) 1W (Ta), 23.5W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventář:
12978855
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMT8008LFG-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
16A (Ta), 48A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
37.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2254 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1W (Ta), 23.5W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMT30
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
31-DMT8008LFG-13TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMT8008LFG-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1395
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMT8008LFG-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.49
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
ZXMN10B08E6QTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
DMP2016UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMT12H007SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
