Číslo produktu výrobce:

DMT8008LSS-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMT8008LSS-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8

Podrobný popis:

N-Channel 80 V 13A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta)

Inventář:

Poptejte online

12888871

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

DMT8008LSS-13 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

80 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

13A (Ta), 32A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

8mOhm @ 13A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.8V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

47 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2840 pF @ 40 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

1.3W (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Základní číslo výrobku

DMT8008

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

DMT8008LSS-13-DG

Další informace

Standardní balíček

2,500

Další jména

DMT8008LSS-13DI

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

diodes

DMN3051L-7

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

diodes

DMP3010LK3Q-13

MOSFET P-CH 30V 17A TO252

diodes

DMN65D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

diodes

DMN62D1LFB-7B

MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN