Číslo produktu výrobce:
DMTH10H015SK3Q-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMTH10H015SK3Q-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventář:
12999654
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMTH10H015SK3Q-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
59A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
14mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30.1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2343 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252 (DPAK)
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
DMTH10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
31-DMTH10H015SK3Q-13TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMTH10H015SK3-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMTH10H015SK3-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.37
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
G3404B
N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
TSM7P06CP
-60V, -7A, SINGLE P-CHANNEL POWE
G09P02L
MOSFET P-CH 20V 9A SOT-23-3L
