DMTH6010LPD-13
Číslo produktu výrobce:

DMTH6010LPD-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMTH6010LPD-13-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8

Inventář:

4940 Ks Nový Originál Skladem
12884949
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMTH6010LPD-13 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2615pF @ 30V
Výkon - Max
2.8W
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI5060-8
Základní číslo výrobku
DMTH6010

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
DMTH6010LPD-13DICT
DMTH6010LPD-13DITR
DMTH6010LPD-13DIDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

ZXMP6A16DN8TC

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO

diodes

ZXMP3A16DN8TA

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO

diodes

ZXMD63P03XTA

MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

diodes

ZXMC10A816N8TC

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO