Číslo produktu výrobce:
DMTH69M8LFVW-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMTH69M8LFVW-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventář:
13270062
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMTH69M8LFVW-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMTH69
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
31-DMTH69M8LFVW-13TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMTH69M8LFVW-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMTH69M8LFVW-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.23
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
DMT64M2LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
DMPH2040UVTQ-7
MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26
DMTH4001SPS-13
MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI
