Číslo produktu výrobce:
DMTH8003SPS-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMTH8003SPS-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.9W Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
Inventář:
7095 Ks Nový Originál Skladem
12884659
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMTH8003SPS-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
124.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8952 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.9W
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI5060-8 (Type K)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
DMTH8003
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
DMTH8003SPS-13-DG
31-DMTH8003SPS-13CT
31-DMTH8003SPS-13TR
31-DMTH8003SPS-13DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP1100UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
DMT10H014LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
DMT4011LFG-13
MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
