Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
DMTH8012LK3-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMTH8012LK3-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventář:
1630 Ks Nový Originál Skladem
12896544
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMTH8012LK3-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
16mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1949 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.6W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
DMTH8012
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
DMTH8012LK3
Technické listy
DMTH8012LK3-13
HTML Datový list
DMTH8012LK3-13-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
DMTH8012LK3-13DICT
DMTH8012LK3-13DITR
31-DMTH8012LK3-13DKR
DMTH8012LK3-13DI-DG
31-DMTH8012LK3-13CT
31-DMTH8012LK3-13TR
DMTH8012LK3-13DI
DMTH8012LK3-13DIDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRLR3110ZTRPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
20611
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRLR3110ZTRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.73
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IPD60N10S412ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5842
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD60N10S412ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.68
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMNH6012LK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
TSM2328CX RFG
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23
TSM7P06CP ROG
MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252
DMP2038USS-13
MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO