Číslo produktu výrobce:
DMTH8012LPSQ-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMTH8012LPSQ-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 72A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventář:
5403 Ks Nový Originál Skladem
12901817
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMTH8012LPSQ-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Ta), 72A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
17mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
46.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2051 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.6W (Ta), 136W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI5060-8
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
DMTH8012
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
DMTH8012LPSQ-13DICT
DMTH8012LPSQ-13DITR
DMTH8012LPSQ-13-DG
DMTH8012LPSQ-13DIDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NDH832P
MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
DMN67D7L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
IXTC26N50P
MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
