Číslo produktu výrobce:

DMW2013UFDEQ-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMW2013UFDEQ-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

Podrobný popis:

N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 810mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (SWP)

Inventář:

Poptejte online

12978819

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

DMW2013UFDEQ-13 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

20 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

10.5A (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

1.5V, 4.5V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

11mOhm @ 8.5A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1.1V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

52.6 nC @ 8 V

VGS (Max)

±8V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2508 pF @ 10 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

810mW (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Třída

Automotive

Kvalifikace

AEC-Q101

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

U-DFN2020-6 (SWP)

Balení / pouzdro

6-UDFN Exposed Pad

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček

10,000

Další jména

31-DMW2013UFDEQ-13TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

diodes

DMNH6009SPS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

diodes

DMT10H052LFDF-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020

diodes

DMNH6021SPSW-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

diodes

DMP2065U-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1