ZTX857QSTZ
Číslo produktu výrobce:

ZTX857QSTZ

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

ZTX857QSTZ-DG

Popis:

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 3 A 80MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventář:

12979199
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

ZTX857QSTZ Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Box (TB)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN
Proud - sběrač (Ic) (Max)
3 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
300 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 600mA, 3A
Proud - Odpojení sběrače (Max)
50nA
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 10V
Výkon - Max
1.2 W
Frekvence - přechod
80MHz
Provozní teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
E-Line-3, Formed Leads
Balíček zařízení dodavatele
E-Line (TO-92 compatible)

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
4,000
Další jména
31-ZTX857QSTZTB

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

BC847BWQ-13-F

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT32

diodes

FMMT491AQTC

SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T&R

diodes

FMMT625QTA

SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T

onsemi

NSVT1602CLTWG

160V 1.5A NPN LOW SATURATION BJT