Číslo produktu výrobce:
ZTX857QSTZ
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
ZTX857QSTZ-DG
Popis:
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 3 A 80MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventář:
12979199
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ZTX857QSTZ Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Box (TB)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN
Proud - sběrač (Ic) (Max)
3 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
300 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 600mA, 3A
Proud - Odpojení sběrače (Max)
50nA
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 10V
Výkon - Max
1.2 W
Frekvence - přechod
80MHz
Provozní teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
E-Line-3, Formed Leads
Balíček zařízení dodavatele
E-Line (TO-92 compatible)
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
31-ZTX857QSTZTB
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
BC847BWQ-13-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT32
FMMT491AQTC
SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T&R
FMMT625QTA
SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
