Číslo produktu výrobce:
ZVN2110GTA
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
ZVN2110GTA-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 500mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Inventář:
8391 Ks Nový Originál Skladem
12905673
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ZVN2110GTA Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
75 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-223-3
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
ZVN2110
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
ZVN2110GCT
ZVN2110GDKRINACTIVE
ZVN2110G
ZVN2110GTR-NDR
ZVN2110GCT-NDR
ZVN2110GTR
ZVN2110GDKR-DG
Q1206752
ZVN2110GDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IXFR27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
ZVP2106ASTZ
MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
