ZVN3310ASTOB

Číslo produktu výrobce:

ZVN3310ASTOB

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

ZVN3310ASTOB-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE

Podrobný popis:

N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventář:

Poptejte online

12905021

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

ZVN3310ASTOB Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

-

Řada

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

100 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

200mA (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.4V @ 1mA

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

40 pF @ 25 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

625mW (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balíček zařízení dodavatele

E-Line (TO-92 compatible)

Balení / pouzdro

E-Line-3

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

ZVN3310ASTOB-DG

Další informace

Standardní balíček

4,000

Další jména

Q1030741

ZVN3310ASTOB-NDR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

vishay-siliconix

IRFP044PBF

MOSFET N-CH 60V 57A TO247-3

diodes

ZXM61P02FTC

MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3

diodes

VN10LFTC

MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3

diodes

ZVN4206GTA

MOSFET N-CH 60V 1A SOT223