ZVN3310ASTZ

Číslo produktu výrobce:

ZVN3310ASTZ

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

ZVN3310ASTZ-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE

Podrobný popis:

N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventář:

Poptejte online

12906218

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

ZVN3310ASTZ Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

100 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

200mA (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.4V @ 1mA

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

40 pF @ 25 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

625mW (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balíček zařízení dodavatele

E-Line (TO-92 compatible)

Balení / pouzdro

E-Line-3

Základní číslo výrobku

ZVN3310

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

2,000

Další jména

31-ZVN3310ASTZDKR

31-ZVN3310ASTZDKR-DG

31-ZVN3310ASTZCT

31-ZVN3310ASTZDKRINACTIVE

ZVN3310ASTZ-DG

31-ZVN3310ASTZTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

diodes

ZXMP10A18GTA

MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

vishay-siliconix

IRF9610PBF

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR310TR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay-siliconix

IRF830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB