ZVP2110GTA
Číslo produktu výrobce:

ZVP2110GTA

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

ZVP2110GTA-DG

Popis:

MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 310mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Inventář:

12905786
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

ZVP2110GTA Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8Ohm @ 375mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
100 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-223-3
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
ZVP2110

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
1,000
Další jména
ZVP2110GDKR
ZVP2110GTR-NDR
ZVP2110GCT-NDR
ZVP2110GTR
ZVP2110G
ZVP2110GCT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

ZXMN10A07ZTA

MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3

diodes

ZVN4424ASTOB

MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE

diodes

ZVN2106ASTOB

MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE

littelfuse

IXTP8N65X2M

MOSFET N-CH 650V 4A TO220