ZVP4525E6TC
Číslo produktu výrobce:

ZVP4525E6TC

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

ZVP4525E6TC-DG

Popis:

MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6
Podrobný popis:
P-Channel 250 V 197mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Inventář:

12906264
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

ZVP4525E6TC Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
197mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
3.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±40V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
73 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-6
Balení / pouzdro
SOT-23-6

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
10,000

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
ZVP4525E6TA
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
13576
DiGi ČÍSLO DÍLU
ZVP4525E6TA-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.28
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

IRLZ44STRRPBF

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR010TRR

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

diodes

ZVP0545GTC

MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223

vishay-siliconix

IRL520STRR

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK