Číslo produktu výrobce:
ZXM66P02N8TC
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
ZXM66P02N8TC-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventář:
12901955
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ZXM66P02N8TC Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.4A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25mOhm @ 3.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
43.3 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2068 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.56W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SO
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Další informace
Standardní balíček
2,500
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDS6375
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2121
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDS6375-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.32
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
R6046ANZ1C9
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
ZXMP10A18K
MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
ZVP2106ASTOB
MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
