Číslo produktu výrobce:
ZXMC3A16DN8TA
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
ZXMC3A16DN8TA-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4.9A, 4.1A 1.25W Surface Mount 8-SO
Inventář:
31075 Ks Nový Originál Skladem
12887299
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
leCG
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ZXMC3A16DN8TA Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.9A, 4.1A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
35mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA (Min)
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
796pF @ 25V
Výkon - Max
1.25W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SO
Základní číslo výrobku
ZXMC3
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
ZXMC3A16DN8TR-NDR
ZXMC3A16DN8CT
ZXMC3A16DN8DKR
ZXMC3A16DN8CT-NDR
ZXMC3A16DN8DKR-DG
ZXMC3A16DN8TR
ZXMC3A16DN8DKRINACTIVE
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ZVN4206NTC
MOSFET 2N-CH 60V SM8
DMC3028LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
ZXMD63C03XTC
MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP