Číslo produktu výrobce:
ZXMHN6A07T8TA
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
ZXMHN6A07T8TA-DG
Popis:
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
Inventář:
12902509
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
l5Eu
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ZXMHN6A07T8TA Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
4 N-Channel (Full Bridge)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.4A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
166pF @ 40V
Výkon - Max
1.6W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-223-8
Balíček zařízení dodavatele
SM8
Základní číslo výrobku
ZXMHN6A07T8
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
ZXMHN6A07T8DKR
1034-ZXMHN6A07T8CT
1034-ZXMHN6A07T8TR
ZXMHN6A07T8CT
1034-ZXMHN6A07T8DKR
ZXMHN6A07T8TA-DG
ZXMHN6A07T8TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMNH6042SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
ZXMC3AMCTA
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
DMG6602SVTX-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
