ZXMN10B08E6TA
Číslo produktu výrobce:

ZXMN10B08E6TA

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

ZXMN10B08E6TA-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26

Inventář:

5553 Ks Nový Originál Skladem
12902468
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

ZXMN10B08E6TA Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.3V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
230mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
497 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-26
Balení / pouzdro
SOT-23-6
Základní číslo výrobku
ZXMN10

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
ZXMN10B08E6CT
ZXMN10B08E6CT-NDR
ZXMN10B08E6TR
ZXMN10B08E6TR-NDR
ZXMN10B08E6DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

ZXMN4A06KTC

MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3

diodes

DMG1013T-7

MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523

diodes

DMG4406LSS-13

MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

diodes

ZVNL120GTA

MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223