ZXMN10B08E6TA

Číslo produktu výrobce:

ZXMN10B08E6TA

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

ZXMN10B08E6TA-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26

Podrobný popis:

N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26

Inventář:

5553 Ks Nový Originál Skladem

12902468

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

ZXMN10B08E6TA Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

100 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

1.6A (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.3V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

230mOhm @ 1.6A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

9.2 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

497 pF @ 50 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

1.1W (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

SOT-26

Balení / pouzdro

SOT-23-6

Základní číslo výrobku

ZXMN10

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

ZXMN10B08E6TA-DG

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

ZXMN10B08E6CT

ZXMN10B08E6CT-NDR

ZXMN10B08E6TR

ZXMN10B08E6TR-NDR

ZXMN10B08E6DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

diodes

ZXMN4A06KTC

MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3

diodes

DMG1013T-7

MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523

diodes

DMG4406LSS-13

MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

diodes

ZVNL120GTA

MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223