ZXMN3B04N8TA
Číslo produktu výrobce:

ZXMN3B04N8TA

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

ZXMN3B04N8TA-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventář:

2078 Ks Nový Originál Skladem
12949477
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

ZXMN3B04N8TA Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25mOhm @ 7.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
23.1 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2480 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SO
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
ZXMN3

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
500
Další jména
ZXMN3B04N8DKR-DG
ZXMN3B04N8CT-NDR
ZXMN3B04N8DKR
ZXMN3B04N8DKRINACTIVE
ZXMN3B04N8TR
ZXMN3B04N8TR-NDR
ZXMN3B04N8CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMTH10H4M5LPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

diodes

DMP1012UFDF-7

MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN

diodes

DMN6068SE-13

MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

diodes

DMP6250SFDF-7

MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-