Číslo produktu výrobce:
ZXMN3G32DN8TA
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
ZXMN3G32DN8TA-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
Inventář:
1480 Ks Nový Originál Skladem
12905114
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ZXMN3G32DN8TA Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.5A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
472pF @ 15V
Výkon - Max
1.8W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SO
Základní číslo výrobku
ZXMN3
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
ZXMN3G32DN8DKR
31-ZXMN3G32DN8TACT
31-ZXMN3G32DN8TATR
ZXMN3G32DN8CT-DG
31-ZXMN3G32DN8TADKR
1034-ZXMN3G32DN8CT
ZXMN3G32DN8TR-DG
ZXMN3G32DN8DKR-DG
ZXMN3G32DN8TR
1034-ZXMN3G32DN8TR
1034-ZXMN3G32DN8DKR
ZXMN3G32DN8CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
HTMN5130SSD-13
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SO
ZXMD63P02XTA
MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
SP8M10FRATB
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP