Číslo produktu výrobce:
ZXMN6A11GTA
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
ZXMN6A11GTA-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Inventář:
1669 Ks Nový Originál Skladem
12886518
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ZXMN6A11GTA Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-223-3
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
ZXMN6
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
ZXMN6A11GTR-NDR
ZXMN6A11GCT
ZXMN6A11GDKR
ZXMN6A11GTR
ZXMN6A11GCT-NDR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ZXMP6A13GTA
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
ZXMN3A01FTA
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
ZXMP4A16GQTA
MOSFET P-CH 40V SOT223
